您现在的位置: 首页 >> 师资队伍 >> 教师系列 >> 陈涛 发布日期:2019-06-09
陈涛,男,1984.3出生,汉族,中共党员,职称:副教授
教育经历: 博士:天津大学,电信学院,微电子与固体电子学专业 硕士:天津大学,电信学院,微电子与固体电子学专业 本科:天津大学,电信学院,电子科学与技术专业 工作经历: 2018.03至今,天津科技大学电子信息与自动化学院 副教授 2011.07-2018.03 中国电子科技集团公司第四十六研究所 高级工程师 主要兼职及获奖情况: 1. 天津市“131”人才三层次人选 2. 2015年度,国防科技进步二等奖 3. 《材料导报》期刊审稿人 研究方向: 1. 硅光子器件及系统设计与开发 2. 工业生产自动化系统设计与开发 科研情况: 1. L波段LDMOS器件用硅外延片-主持 (原总装新品项目) 2. 微波脉冲功率器件用硅外延片-主持 (原总装技术推动项目) 3. 雪崩光电器件用多层结构硅外延片-主持 (装备发展部支撑项目) 4. 压电陶瓷工艺设备改进设计-主持 (横向科技项目) 学术成果: 论文: [1] Chen Tao,Hu Ming, Liang Ji-ran, Lu Jia-ning, Tan Lei,“Study on the preparation of vanadium oxide thin films by the metal-oxygenation method”, Proc. SPIE, Vol. 738117:1~7, 2009年06月,EI检索:20094812508883 [2] Tao Chen, Ming Hu, Lei Tan, Liu-Chen Wang, Li Li,“Study on switching performance of VOx thin film in THz band”, Proc. 10th ICSICT-2010: 1560~1562: 2010年11月,EI检索:20110413609400 [3] 陈涛,李普生,图布新,李明达,“硅外延生长高频感应系统的热场仿真”,《半导体技术》,2017年,第10期,第42卷, [4] 陈涛,“基于层流模型的CVD外延流场仿真”,《固体电子学研究与进展》,2017年,第6期,第37卷 [5] 陈涛,胡明,梁继然,后顺保,吕志军,栗力,“氧化钒薄膜太赫兹波段频率特性研究”,《光电子·激光》,2011年,第22卷,第9期 [6] 陈涛,王文林,薛兵,“外延过渡区对肖特基二极管I-V特性的影响”,《科技风》,2014年,第16期 [7] 陈涛,李明达,李杨,“硅外延片批产测试抽样方式研究”,《科研》,2016年,第1期 [8] 陈涛,李明达,李杨,“CV法测试电阻率的稳定性研究”,《科技创新与应用》,2016年,第1期 专利: [1] “一种VDMOS器件用薄Sb衬底上制备厚层外延的方法”, 201610618664.3 [2] “一种LDMOS晶体管用硅外延片的制备方法”, 201610618667.7 [3] “一种提高CCD器件用硅外延片的厚度均匀性的方法”, 201410570410.X [4] “一种6英寸重掺砷衬底上生长高阻厚层硅外延片的方法”, 201510284427.3 [5] “一种改善外延片电阻率和厚度一致性的制备方法”, 201310527944.X [6] “一种THz波段氧化钒光开关及其制作方法”, 201010276138.6 [7] “金属氧化法制备氧化钒薄膜的方法”, 200910069046.8 联系方式: 通讯地址(邮编):中国天津市河西区大沽南路1038号天津科技大学电子信息与自动化学院16号楼430室(300222) E-MAIL:chentao@tust.edu.cn |