|
您现在的位置： 首页 >> 师资队伍 >> 教师系列 >> 陈涛 发布日期：2019-06-09
 陈涛，男，1984.3出生，汉族，中共党员，职称：副教授教育经历： 博士：天津大学，电信学院，微电子与固体电子学专业 硕士：天津大学，电信学院，微电子与固体电子学专业 本科：天津大学，电信学院，电子科学与技术专业 工作经历： 2018.03至今，天津科技大学电子信息与自动化学院 副教授 2011.07-2018.03 中国电子科技集团公司第四十六研究所 高级工程师 主要兼职及获奖情况： 1. 天津市“131”人才三层次人选 2. 2015年度，国防科技进步二等奖 3. 《材料导报》期刊审稿人 研究方向： 1. 硅光子器件及系统设计与开发 2. 工业生产自动化系统设计与开发 科研情况: 1. L波段LDMOS器件用硅外延片-主持 (原总装新品项目) 2. 微波脉冲功率器件用硅外延片-主持 (原总装技术推动项目) 3. 雪崩光电器件用多层结构硅外延片-主持 (装备发展部支撑项目) 4. 压电陶瓷工艺设备改进设计-主持 (横向科技项目) 学术成果： 论文： [1] Chen Tao,Hu Ming, Liang Ji-ran, Lu Jia-ning, Tan Lei，“Study on the preparation of vanadium oxide thin films by the metal-oxygenation method”, Proc. SPIE, Vol. 738117:1~7, 2009年06月，EI检索：20094812508883 [2] Tao Chen, Ming Hu, Lei Tan, Liu-Chen Wang, Li Li，“Study on switching performance of VOx thin film in THz band”, Proc. 10th ICSICT-2010: 1560~1562: 2010年11月，EI检索：20110413609400 [3] 陈涛，李普生，图布新，李明达，“硅外延生长高频感应系统的热场仿真”，《半导体技术》，2017年，第10期，第42卷， [4] 陈涛，“基于层流模型的CVD外延流场仿真”，《固体电子学研究与进展》，2017年，第6期，第37卷 [5] 陈涛，胡明，梁继然，后顺保，吕志军，栗力，“氧化钒薄膜太赫兹波段频率特性研究”，《光电子·激光》，2011年，第22卷，第9期 [6] 陈涛，王文林，薛兵，“外延过渡区对肖特基二极管I-V特性的影响”，《科技风》，2014年，第16期 [7] 陈涛，李明达，李杨，“硅外延片批产测试抽样方式研究”，《科研》，2016年，第1期 [8] 陈涛，李明达，李杨，“CV法测试电阻率的稳定性研究”，《科技创新与应用》，2016年，第1期 专利： [1] “一种VDMOS器件用薄Sb衬底上制备厚层外延的方法”， 201610618664.3 [2] “一种LDMOS晶体管用硅外延片的制备方法”， 201610618667.7 [3] “一种提高CCD器件用硅外延片的厚度均匀性的方法”， 201410570410.X [4] “一种6英寸重掺砷衬底上生长高阻厚层硅外延片的方法”， 201510284427.3 [5] “一种改善外延片电阻率和厚度一致性的制备方法”， 201310527944.X [6] “一种THz波段氧化钒光开关及其制作方法”， 201010276138.6 [7] “金属氧化法制备氧化钒薄膜的方法”， 200910069046.8 联系方式： 通讯地址（邮编）：中国天津市河西区大沽南路1038号天津科技大学电子信息与自动化学院16号楼430室（300222） E-MAIL：chentao@tust.edu.cn |