一、导师情况简介

  姓名: 陈涛

  性别: 男

  职称: 副教授

  导师类别:硕导

  招生专业：仪器

  研究方向：半导体材料、陶瓷材料、电路设计、半导体器件制造工艺

二、代表性论文（第一作者或通讯作者文章）

论文：

[1] Chen Tao,Hu Ming, Liang Ji-ran, Lu Jia-ning, Tan Lei，“Study on the preparation of vanadium oxide thin films by the metal-oxygenation method”, Proc. SPIE, Vol. 738117:1~7, 2009年06月，EI检索：20094812508883

[2] Tao Chen, Ming Hu, Lei Tan, Liu-Chen Wang, Li Li，“Study on switching performance of VOx thin film in THz band”, Proc. 10th ICSICT-2010: 1560~1562: 2010年11月，EI检索：20110413609400

[3] 陈涛，胡明，梁继然，后顺保，吕志军，栗力，“氧化钒薄膜太赫兹波段频率特性研究”，光电子·激光，2011年，第22卷，第9期

[4] 陈涛，王文林，薛兵，“外延过渡区对肖特基二极管I-V特性的影响”，科技风，2014年，16期

 专利：

[1] “金属氧化法制备氧化钒薄膜的方法”， 200910069046.8

[2] “一种THz波段氧化钒光开关及其制作方法”， 201010276138.6

 [3] “一种提高CCD器件用硅外延片的厚度均匀性的方法”， 201410570410.X

[4] “一种6英寸重掺砷衬底上生长高阻厚层硅外延片的方法”， 201510284427.3

[5] “一种改善外延片电阻率和厚度一致性的制备方法”， 201310527944.X

三、科研项目（在研或已完成的重要项目）

[1] 硅窗口材料几何参数检测系统研究

[2] 硅基高品质因子红外微透镜研究

[3] LDMOS、VDMOS晶体管用硅外延片

[4] 雪崩光电器件用多层结构硅外延片

[5] 太阳能电池电量检测SOC算法研究

四、其他情况（社会兼职、获奖、竞赛、专利及其他需说明情况）

   天津市“131人才”第三层次人选；

   国防科技进步二等奖

五、联系方式

   办公地点：天津科技大学河西校区16-326

   电话：13502118285

   通讯地址（邮编）：200222

           E-MAIL：chentao@tust.edu.cn